HermeS®

卓越した信頼性、優れたRF性能、高い光学透過性、シリコンとの陽極結合のオプションを備えた HermeS® 極細貫通電極付ガラス基板は、コンパクトで非常に耐久性の高い MEMS デバイスを製造するために必要なすべての特性を備えています。

卓越したHermeS®のさまざまな機能

脅威への対抗策

ビア材料とガラスと金属の強い接合強度とCTEマッチングによる高い気密性により、MEMSデバイスは、繰り返し行われる医療滅菌処理から腐食性のある工業生産ラインまで、複数の脅威に対応することができます。

長寿命の部品

HermeS®ガラスウエハの高い機械的、熱的および化学的耐性は、MEMSデバイスの長寿命化に大きく貢献します。

小型化

SCHOTT HermeS®高気密・極細貫通電極付ガラス基板(TGV)はシリコン製MEMSに直接貼り合わせることができるため、デバイス設計において大幅な小型化が可能になり、セラミックパッケージを使用するMEMSデバイスより最大80%の小型化が可能です。

品質保証

TSV (シリコンビア経由)や他の TGV と比較して、 HermeS® ウエハはガラス材料のCTEと固体金属ビアを一致させることで、 MEMSデバイスの製造と最終用途で優れた処理と品質管理を可能にします。

ウエハの仕様

ウエハの技術データ
ウエハーの厚さ 500 ± 20μm (最小280μm)
ウエハサイズ 4", 6", 8"
ビアピッチ 250μm 200μm 150μm *
ビア直径 100μm 80μm 50μm *
ビア本数密度 50k *(6 ")、100k *(8 ")
ビア素材 タングステン (W) - TEMPAX Float® 33およびAF 32® eco 33
と組み合わせ鉄ニッケル(FeNi 42) - D 263® T ecoと組み合わせ ( その他のご
要望については、弊社目でお問い合わせください。 )
気密性 [≤ 1 × 10 –9 Pa · m 3/s ] 、 [≤ 1 × 10 –8 mbar/s ] 、 [≤ 1 × 10 –8 atm cc/s]

* 開発中

ガラスの仕様

ガラスの技術データ
ガラス材料 TEMPAX Float® 33 AF 32® eco 33 D 263® T eco

膨張係数
3.25 x 10 -6/K
(Si と一致 )
3.2 x 10 -6/K
(Si と一致 )
7.2 x 10 -6/K
1MHzでの比誘電率 4.6 5.1 6.7
屈折率 (@ 600nm) 1.47 1.51 1.52

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