HermeS®
卓越した信頼性、優れたRF性能、高い光学透過性、シリコンとの陽極結合のオプションを備えた HermeS® 極細貫通電極付ガラス基板は、コンパクトで非常に耐久性の高い MEMS デバイスを製造するために必要なすべての特性を備えています。
卓越したHermeS®のさまざまな機能
ウエハの仕様
| ウエハの技術データ | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ウエハーの厚さ | 500-1600 μm ±20 μm | ||||||
| ウエハサイズ | 4“, 6“, 8“ | ||||||
| ビアピッチ | 最小 400 μm | ||||||
| ビア直径 | 80 μm | ||||||
| 電極材料 | タングステン (W) - BOROFLOAT® 33との組合せ (ご要望に応じて：AF 32® eco) |
||||||
| 気密性 | リーク率 ≤ 1 × 10-9 Pa · m3/s、[≤ 1 × 10-8 mbar l/s] | ||||||
ガラスの仕様
| ガラスの技術データ | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ガラス材料 | Borofloat® 33 | AF 32® eco 33 | |||||
| 熱膨張係数 (CTE) |
3.25 x 10 -6/K (Si と一致 ) |
3.2 x 10 -6/K (Si と一致 ) |
|||||
| 1MHzでの比誘電率 | 4.6 | 5.1 | |||||
| 屈折率 (@ 600nm) | 1.47 | 1.51 | |||||
クリスティナ・グルーバー
営業部長