Detalhes técnicos do HermeS®
Com confiabilidade superior, excelente desempenho de RF, alta transparência óptica e a opção de ligação anódica com silício, os wafers herméticos TGV HermeS® têm todas as propriedades certas para criar dispositivos e sensores compactos e extremamente duráveis alimentados por MEMS.
A linha de recursos excepcionais do HermeS®
Especificações do wafer
| Dados técnicos do wafer | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Espessura do wafer | 500 - 1.600 μm ±20 μm | ||||||
| Tamanho do wafer | 4“, 6“, 8“ | ||||||
| Através de inclinação | mín. 400 μm | ||||||
| Através do diâmetro | 80 μm | ||||||
| Via materiais | Tungstênio (W) – combinado com BOROFLOAT® 33 (mediante solicitação: AF 32® eco) |
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| Hermética | Taxa de vazamento ≤ 1 × 10–9 Pa · m3/s, [≤ 1 × 10–8 mbar l/s] | ||||||
Especificações do vidro
| Dados técnicos do vidro | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Material do vidro | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | |||||
| CTE (coeficiente de expansão térmica) |
3,25 x 10-6/K (corresponde a Si) |
3,2 x 10-6/K (corresponde a Si) |
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| Constante dielétrica a 1 MHz | 4,6 | 5,1 | |||||
| Índice de refração (a 600 nm) | 1,47 | 1,51 | |||||
Kristina Gruber
Sales Director