HermeS®
Com confiabilidade superior, excelente desempenho de RF, alta transparência óptica e a opção de ligação anódica com silício, os wafers herméticos TGV HermeS® têm todas as propriedades certas para criar dispositivos e sensores compactos e extremamente duráveis alimentados por MEMS.
Especificações do wafer
| Dados técnicos do wafer | |||
|---|---|---|---|
| Espessura do wafer | 500 ±20 μm (mín. 280 μm) | ||
| Tamanho do wafer | 4", 6", 8" | ||
| Contato via pitch | 250 μm | 200 μm | 150 μm* |
| Contato via diâmetro | 100 μm | 80 μm | 50 μm* |
| Via densidade | 50k* (6"), 100k* (8") | ||
| Via materiais | Tungstênio (W) – combinado com Borofloat®33 e AF 32®eco 33 Ferro Níquel (FeNi42) – combinado com D 263®T eco (outros disponíveis mediante solicitação) |
||
| Hermética | [≤ 1 × 10–9Pa · m3/s], [≤ 1 × 10–8mbar/s], [≤ 1 × 10–8atm cc/s] | ||
* Em desenvolvimento
Especificações do vidro
| Dados técnicos do vidro | |||
|---|---|---|---|
| Material do vidro | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | D 263®T eco |
| Coeficiente de expansão térmica |
3,25 x 10-6/K (corresponde a Si) |
3,2 x 10-6/K (corresponde a Si) |
7,2 x 10-6/K |
| Constante dielétrica a 1 MHz | 4,6 | 5,1 | 6,7 |
| Índice de refração (a 600 nm) | 1,47 | 1,51 | 1,52 |
