HermeS®
Avec une fiabilité supérieure, d’excellentes performances RF, une transparence optique élevée et l’option de liaison anodique au silicium, les wafers en verre à vias traversants hermétiques (TGV) HermeS® possèdent toutes les propriétés pour créer des dispositifs et des capteurs MEMS compacts et extrêmement durables.
Spécifications du wafer
| Caractéristiques techniques du wafer | |||
|---|---|---|---|
| Épaisseur du wafer | 500 ±20 μm (min. 280 μm) | ||
| Taille du wafer | 4", 6", 8" | ||
| Pitch des vias de contact | 250 μm | 200 μm | 150 μm* |
| Diamètre des vias de contact | 100 μm | 80 μm | 50 μm* |
| Masse volumique des vias | 50k* (6"), 100k* (8") | ||
| Matériaux des vias | Tungstène (W) – combiné avec Borofloat®33 et AF 32®eco 33 Alliage ferro-nickel (NiFe42) – combiné avec D 263®T eco (autres modèles disponibles sur demande) |
||
| Herméticité | [≤ 1 × 10–9 Pa · m3/s], [≤ 1 × 10–8 mbar/s], [≤ 1 × 10–8 atm cc/s] | ||
*En cours de développement
Spécifications du verre
| Caractéristiques techniques du verre | |||
|---|---|---|---|
| Type de verre | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | D 263®T eco |
| Coefficient de dilatation thermique |
3,25 x 10-6/K (correspond au silicium) |
3,2 x 10-6/K (correspond au silicium) |
7,2 x 10-6/K |
| Constante diélectrique à 1 MHz | 4,6 | 5,1 | 6,7 |
| Indice de réfraction (à 600 nm) | 1,47 | 1,51 | 1,52 |
