Caractéristiques techniques de HermeS®
Avec une fiabilité supérieure, d’excellentes performances RF, une transparence optique élevée et l’option de liaison anodique au silicium, les wafers en verre à vias traversants hermétiques (TGV) HermeS® possèdent toutes les propriétés pour créer des dispositifs et des capteurs MEMS compacts et extrêmement durables.
Caractéristiques exceptionnelles d’HermeS®
Spécifications du wafer
| Caractéristiques techniques du wafer | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Épaisseur du wafer | 500-1 600 μm ± 20 μm | ||||||
| Taille du wafer | 4“, 6“, 8“ | ||||||
| Pas du via | min. 400 μm | ||||||
| Diamètre du via | 80 μm | ||||||
| Matériaux du via |
Tungstène (W) - combiné avec du BOROFLOAT® 33 (sur demande : AF 32® eco) |
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| Herméticité | Débit de fuite ≤ 1 × 10-9 Pa · m3/s, [≤ 1 × 10-8 mbar l/s] | ||||||
Spécifications du verre
| Caractéristiques techniques du verre | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Type de verre | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | |||||
| Coefficient de dilatation thermique (CDT) |
3,25 x 10-6/K (correspond au silicium) |
3,2 x 10-6/K (correspond au silicium) |
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| Constante diélectrique à 1 MHz | 4,6 | 5,1 | |||||
| Indice de réfraction (à 600 nm) | 1,47 | 1,51 | |||||
Kristina Gruber
Sales Director