Substratos e Wafers
Substratos e wafers não polidos
O processo de down-draw exclusivo da SCHOTT para a fabricação de wafers e substratos de vidro resulta em um grande número de impressionantes propriedades técnicas. O processo envolve uma série de soluções modernas, que oferecem espessuras de vidro entre 30 µm e 1,1 mm, todas com uma qualidade perfeita da superfície.
CARACTERÍSTICAS
Devido a uma rugosidade superficial muito baixa, menor que 0,5 nm, e tolerâncias rigorosas em toda a nossa linha de produtos, a técnica de down-draw produz superfícies imaculadas, perfeitamente adequadas para gravação, revestimento e união.
AS VANTAGENS PARA VOCÊ
- Gravação precisa e de alto rendimento em aplicações de semicondutores.
- Excelentes propriedades de transmissão.
- O comportamento de adesão facilita a aplicação de revestimentos de substrato.
- Grande variedade disponível de tipos e espessuras de vidros, de 30 µm a 1,1 mm.
Wafers e substratos sem polimento
A SCHOTT oferece vários produtos de wafer de vidro fabricados usando processos de produção de última geração. Assim, os wafers possuem excelente qualidade, com planicidade excepcional e uma variação de espessura total (TTV) muito baixa, resultando em um desempenho altamente confiável em aplicações onde a precisão é fundamental.
CARACTERÍSTICAS
Os substratos e wafers polidos da SCHOTT oferecem um TTV extremamente baixo abaixo de 0,6 µm, junto com uma elevada planicidade, que garante uma menor deformação ou encurvamento do vidro. Eles são perfeitamente adequados para encapsulamento de wafers e aplicações de wafers condutores de vidro para encapsulamento 3D IC, RF IC e fan-out. Com uma ampla variedade de materiais de alta qualidade disponíveis no aclamado portfólio da SCHOTT, as possibilidades são praticamente infinitas.
AS VANTAGENS PARA VOCÊ
- TTV extremamente baixo e excelente planicidade.
- Perfeitamente adequado para processos de empilhamento 3D de CI altamente precisos.
- Vários tipos de vidro disponíveis, permitindo diferentes processos de união, como união temporária a laser, união anódica e outros.
- Também é ideal como substrato para encapsulamentos fan-out em nível de wafer.
- Excelentes propriedades dielétricas.
