Caractéristiques techniques de l'AF 32®

L’une des caractéristiques de l’AF 32® est sa composition sans alcalins, ce qui le rend particulièrement adapté aux systèmes de semi-conducteurs. Avec un coefficient de dilatation thermique similaire à celui d’un wafer en silicium, il peut être utilisé comme verre de protection ou substrat ultra-mince de haute qualité pour les puces de silicium dans les semi-conducteurs et les dispositifs MEMS.

L'AF 32® est disponible dans une large gamme d’épaisseurs, de 30 µm à 0,5 mm. Quelle que soit l’épaisseur recherchée, le facteur de variation d’épaisseur totale (TTV) reste étroitement contrôlé, à seulement ≤ 5 µm à 15 µm.

La transmission de la lumière obtenue par le verre AF 32® est constamment forte, dans le spectre visible comme dans des longueurs d’ondes supérieures, jusqu'au proche infrarouge. Il présente une transmission lumineuse exceptionnelle de 91,9 % ; après traitement antireflet, sa transmission atteint même 97 à 99 %.

La faible perte diélectrique de l’AF 32® permet son utilisation dans des applications à très hautes fréquences. Le coefficient de dilatation thermique est adapté au silicium et permet ainsi l'usinage direct avec des wafers en silicium. Par exemple, et dans la plage GHz, il permet de réaliser un filtre SAW et BAW avec une faible perte d’insertion.