Substrate und Wafer

SCHOTT Wafer sind in zwei verschiedenen Varianten erhältlich: unpolierte, down-drawn Wafer und polierte Wafer für höchste Präzision. Die unpolierte Variante bietet eine außergewöhnlich makellose Oberfläche, während die polierte Variante industrieweit führende Eigenschaften in Bezug auf TTV und Planität aufweist.
Unpolierte Substrate und Wafer

Unpolierte Substrate und Wafer

Das von SCHOTT entwickelte Down-Draw-Verfahren zur Herstellung von Glaswafern und -substraten führt zu einer Vielzahl von beeindruckenden technischen Eigenschaften. Das Verfahren umfasst eine Reihe von High-End-Lösungen, die Glasdicken zwischen 30 µm und 1,1 mm bieten, alle mit einer makellosen Oberflächenqualität.

EIGENSCHAFTEN

Aufgrund der sehr geringen Oberflächenrauigkeit unter 0,5 nm und der engen Toleranzen in unserem gesamten Produktsortiment werden mit der Down-Draw-Technik makellose Oberflächen hergestellt, die perfekt zum Ätzen, Beschichten und Bonden geeignet sind. 


IHRE VORTEILE

  • Genaues und ertragreiches Ätzen in Halbleiteranwendungen.
  • Ausgezeichnete Transmissionseigenschaften.
  • Das Haftungsverhalten erleichtert das Auftragen von Substratbeschichtungen.  
  • Große Auswahl an Glastypen und -stärken von 30 μm bis 1,1 mm erhältlich.
Polierte Substrate und Wafer

Polierte Substrate und Wafer

SCHOTT bietet eine Vielzahl von Glaswafern an, die nach modernsten Produktionsverfahren hergestellt werden. Dies liefert Wafer von hervorragender Qualität mit außergewöhnlicher Planität und einer sehr geringen Gesamtdickenabweichung (TTV), was zu einer äußerst zuverlässigen Leistung bei Anwendungen führt, bei denen Präzision an erster Stelle steht.

EIGENSCHAFTEN

Die polierten Substrate und Wafer von SCHOTT bieten einen extrem niedrigen TTV unter 0,6 μm sowie eine hohe Planität, die für weniger Krümmung oder Wölbung des Glases sorgt. Sie eignen sich perfekt für Wafer-Level-Packaging und Glas Carrier Wafer-Anwendungen für 3D-IC-, RF-IC- und Wafer-Level-Fan-Out-Packaging. Mit einer breiten Palette an hochwertigen Materialien aus dem renommierten Portfolio von SCHOTT sind die Möglichkeiten nahezu unbegrenzt.


IHRE VORTEILE

  • Extrem niedrige TTV und herausragende Planität.
  • Perfekt geeignet für hochpräzise 3D-IC-Stackingprozesse.
  • Verschiedene Glastypen verfügbar, die unterschiedliche Bondingverfahren ermöglichen, wie z. B. temporäres Laser-Bonden, anodisches Bonden und andere.
  • Ideal auch als Substrat für Wafer-Level-Fan-Out-Packaging.
  • Herausragende dielektrische Eigenschaften.

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