Datos técnicos de AF 32®

Una de las características del AF 32® es su composición sin álcalis, lo que lo hace altamente adecuado para sistemas semiconductores. Con un CTE similar a una oblea de silicio, se puede utilizar como cubierta de vidrio fino o sustrato para chips de silicio en semiconductores y dispositivos MEMS.

AF 32® está disponible en una amplia variedad de grosores, desde un grosor extremadamente delgado de 30 µm hasta 0.5 mm. Independientemente del grosor que necesite, el factor de variación total del grosor (TTV) se mantiene controlado de forma estricta, entre ≤ 5 µm y 15 µm.

La transmisión de luz obtenida a través del vidrio AF 32® es intensa de manera continua tanto en el rango visible como en longitudes de onda más altas hasta la luz infrarroja cercana. Alcanza un nivel excepcional de transmitancia luminosa del 91.9 %, pero después del revestimiento AR, la transmisión puede alcanzar de 97 % a 99 %.

La baja pérdida dieléctrica del AF 32® permite aplicaciones a frecuencias muy altas. La expansión térmica (CTE) se adapta al silicio y permite el co-procesamiento con láminas de silicio. Esto permite, por ejemplo, producir filtros SAW y BAW en el rango de GHz con baja pérdida de inserción.