Technische Daten für HermeS®
Überragende Zuverlässigkeit, exzellente HF-Leistung, hohe optische Transparenz und die Möglichkeit des anodischen Bondens mit Silizium - HermeS® Through-Glass Via Wafer bieten eine Reihe von Eigenschaften, die für die Entwicklung von kompakten und extrem langlebigen MEMS-betriebenen Bauteilen und Sensoren wichtig sind.
Die außergewöhnlichen Eigenschaften von HermeS®
Waferspezikationen
| Technische Daten des Wafers | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Dicke des Wafers | 500–1600 μm ±20 μm | ||||||
| Durchmesser der Wafer | 4“, 6“, 8“ | ||||||
| Über Pitch | min. 400 μm | ||||||
| Über Durchmesser | 80 μm | ||||||
| Via Materialien | Wolfram (W) – kombiniert mit BOROFLOAT® 33 (auf Anfrage: AF 32® eco) |
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| Hermetizität | Leckrate ≤ 1 × 10–9 Pa · m3/s, [≤ 1 × 10–8 mbar l/s] | ||||||
Glasspezifikationen
| Technische Daten des Glases | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Glasmaterial | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | |||||
| Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) |
3,25 x 10-6/K (an Si angepasst) |
3,2 x 10-6/K (an Si angepasst) |
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| Dielektrische Konstante @ 1MHz | 4,6 | 5,1 | |||||
| Brechungsindex (@ 600 nm) | 1,47 | 1,51 | |||||
Kristina Gruber
Sales Director