AF 32®
Mit einem einzigartigen Spektrum an Eigenschaften sowie der Kompatibilität mit Halbleiterprozessen bietet AF 32® eine attraktive Option für Entwickler. Dieses alkalifreie Glas wird mit dem einzigartigen Down-Draw-Verfahren von SCHOTT hergestellt. Das Glas wird in einer Vielzahl von unterschiedlichsten Glasdicken angeboten und bietet eine exzellente Transmission und eine hervorragende Oberflächenqualität.
Glatt, stabil und widerstandsfähig
SCHOTT AF 32® hat einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der dem eines Siliziumwafers ähnelt. Damit ist es ideal für das Wafer-Level-Packaging in der Halbleiterindustrie geeignet. Mit hoher thermischer Stabilität, hoher optischer Qualität, exzellenten dielektrischen Eigenschaften und sehr geringen Rauhigkeiten eignet es sich für ein breites Anwendungsspektrum.
Ein breites Spektrum engmaschig kontrollierter Dicken
Die einzigartige Down-Draw-Technologie von SCHOTT ermöglicht uns die Herstellung von Produkten mit einer Dicke zwischen 0,03 mm und 0,5 mm. AF 32® eignet sich für große Formate wie 12" Wafer. Bei all diesen Optionen sorgen enge geometrische Toleranzen für eine zuverlässige Leistung, egal in welchem Anwendungsbereich.
Herausragende technische Eigenschaften
Die überlegenen Eigenschaften des SCHOTT AF 32® machen es vielseitig einsetzbar. Durch die Kombination eines hohen Niveaus an technischen Eigenschaften wie Größe, Volumen und Oberflächenqualität mit den hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften einer hohen optischen Transmission, einer hohen thermischen Stabilität, eines niedrigen dielektrischen Verlustfaktors und eines niedrigen CTE bleibt AF 32® auch in anspruchsvollen Umgebungen effektiv. Alkalifrei und ohne Arsen und Antimon hergestellt, ist AF 32® das "Must Have" Glas für eine Vielzahl von Branchen.
Verschiedene Dicken erhältlich
AF 32® ist in einer Vielzahl von Dicken von extrem dünnen 30 μm bis 0,5 mm erhältlich.
Hohe Transmission
AF 32® zeigt hervorragende Transmissionseigenschaften im UV-A-, sichtbaren und Nah-Infrarot-Bereich.
Niedriger CTE
Mit ähnlichem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) wie Silizium eignet es sich als Substrat von Silizium-Chips in der Halbleiter- und MEMS-Industrie.
Sehr gute dielektrische Eigenschaften
Durch den geringen dielektrischen Verlust ist SCHOTT AF 32® ideal für RF- und HF-Anwendungen geeignet.
Hohe Temperaturbeständigkeit
SCHOTT AF 32® hat eine Temperaturbeständigkeit bis 650 °C.
Ausgezeichnete Oberflächenqualität und Ebenheit
Hohe Glasqualität und eine Oberfläche mit sehr geringen Rauheitswerten machen eine weitere Oberflächenveredelung unnötig.
