HermeS®

Con una confiabilidad superior, un excelente rendimiento de RF, alta transparencia óptica y la opción de uniones anódicas con silicio, las láminas herméticas HermeS® TGV cuentan con todas las propiedades necesarias para crear dispositivos y sensores compactos y extremadamente duraderos alimentados por MEMS.

Las excepcionales características de HermeS®

Contrarresta las amenazas a la eficiencia

La combinación de materiales resistentes y tecnología vidrio-metal ayuda a los equipos MEMS a estar protegido ante múltiples amenazas, tanto en procedimientos de esterilización médica repetidos, como en líneas de producción industrial corrosivas.

Componentes más duraderos

La alta resistencia mecánica, térmica y química de las láminas de vidrio HermeS® contribuye significativamente a prolongar la vida útil de los dispositivos MEMS.

Opciones de miniaturización

Las láminas herméticas TGV HermeS® de SCHOTT se pueden fijar directamente a un MEMS de silicio, lo cual permite la miniaturización considerable en el diseño del dispositivo: hasta un 80% más pequeños que los dispositivos MEMS cerámicos.

Garantía de calidad

En comparación con TSV (Through Silicon Vias) y otros TGV, las láminas HermeS® permiten un procesamiento y control de calidad superiores en la producción de dispositivos MEMS y sus aplicaciones finales gracias al combinar el CTE del material de vidrio con los intercaladores de metal sólido.

Especificaciones de la lámina

Datos técnicos de las láminas
Grosor de la lámina 500 ±20 μm (mín. 280 μm)
Tamaño de la lámina 4", 6", 8"
Contacto por inclinación 250 μm 200 μm 150 μm*
Contacto por diámetro 100 μm 80 μm 50 μm*
Densidad del intercalador 50k* (6"), 100k* (8")
Materiales del intercalador Tungsteno (W) - combinado con Borofloat®33 y AF 32®eco 33
Iron Nickel (FeNi42) - combinado con D 263®T eco
(otros disponibles a solicitud)
Hermeticidad [≤ 1 × 10-9Pa · m3/s], [≤ 1 × 10-8mbar/s], [≤ 1 × 10-8atm cc/s]

*En desarrollo

Especificaciones del vidrio

Datos técnicos del vidrio
Material de vidrio Borofloat®33 AF 32®eco 33 D 263®T eco
Coeficiente de
expansión térmica
3.25 x 10-6/K
(equivalente a Si)
3.2 x 10-6/K
(equivalente a Si)
7.2 x 10-6/K
Constante dieléctrica a 1 MHz 4.6 5.1 6.7
Índice de refracción (a 600 nm) 1.47 1.51 1.52

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