• HermeS® Hermetic Through Glass Via Technology
  • Wafer Technologie

HermeS® Wafer mit Through Glass Vias (TGV) 

Produktbeschreibung

SCHOTT HermeS® Glaswafer wurden speziell für die Verwendung in mikroelektro-mechanischen Systemen (MEMS) entwickelt und bieten exzellente hermetische und elektrische Eigenschaften. Da fein platzierte Pins direkt unter die Silizium basierenden MEMS platziert werden können, ist HermeS® eine exzellente Unterstützung für integrierte und miniaturisierte MEMS Bauteile.

Das Verpacken von MEMS Bauteilen ist oft schwieriger, als das von Mikroelektronik-Gehäusen. Anforderungen wie Miniaturisierung, Hermetizität und Leistung in anspruchsvollen Umgebungen sind nur die Basisanforderungen an ein MEMS Bauteil.

SCHOTT HermeS® ist ein Glassubstrat mit hermetisch integrierten TGV (Through Glass Vias)  Metallkontakten und somit eine ideale Lösung für MEMS Anwendungen. Durch unsere weit reichende Erfahrung mit der Glas-Metall-Einschmelztechnologie, bietet Hermes® hervorragende Hermetizität, erweiterte elektrische Eigenschaften und eine hohe thermische Beständigkeit. HermeS® TGV Substrate sind außerdem kompatibel mit den modernsten Assemblierprozessen (z.B. anodisch Bonden, Glasfritten und Löten)

Produktvorteile

Das HermeS® Substrat bietet folgende Vorteile
  • Miniturisierung / Größenreduzierung / kompaktes Design
  • Ausgezeichnete Beständigkeit und Hermetizität
  • Eine WLP Lösung, die kompatibel mit Prozessen wie Glasfritten, Löten und anodischem Bonden ist
  • Kompatibel mit SMT unter Verwendung von BGA- oder LGA- Prozessen
  • Der Ausdehnungskoeffizient entspricht dem von Silizium
  • Eine direkte elektrische Verbindung durch den Wafer führt zu einem kompakten, simplen und flexiblen Verpackungsdesign
  • Leistungsstarker elektrischer und thermischer Weg zur Leiterplatte
  • Anwendungsspezifische Vorteile wie
    • HF: Hervorragende elektrische Eigenschaften
    • Optische Anwendungen: Transparenz

Anwendungen

HermeS® kann für eine Vielzahl von MEMS Anwendungen genutzt werden, wie z.B.
  • Sensoren (z.B. Kreisel-, Beschleunigungs-, Druck-, Positions-, Durchfluss-, Vibration-, HF-, …)
  • HF (z.B. Schalter, Oszilator, Filter)
  • Optische MEMS (z.B. optische Spiegel, mikro-optische Brücken, optische Schalter, Mikrospektrometer)
  • Mikroflüssigkeiten (z.B. Druckerkoepfe Mikrosonden, -Regler, -Ventile, -Pumpen)
  • SI-Mikrophone

Technische Details

Nahaufnahme von hermetisch verpackten Pins in einem Glassubstrat
Technologie
HermeS® nutzt die Glas-Metall-Verbindungstechnologie, um hervorragende Hermetiizität in einer Wafer Level Gehäuselösung anzubieten.
Merkmale/Spezifikationen
    
Technische Daten des Wafers
Dicke des Wafers 500 ±20 μm (min. 350 μm)
Durchmesser des Wafers 4", 6", 8"
Abstand der Pins 250μm 200μm 150μm*
Durchmesser der Pins 100μm 80μm 50μm*
Anzahl der Pins auf dem Wafer 50k* (6"), 100k* (8")
Pin - Material Wolfram (W) - in Kombination mit Borofloat® 33 und AF 32® eco 33
Eisen-Nickel (FeNi42) - in Kombination mit D 263® T eco
(weitere Materialien auf Anfrage)
Hermetizität [≤ 1 × 10–9 Pa · m3/s], [≤ 1 × 10–8 mbar/s], [≤ 1 × 10–8 atm cc/s]
Technische Daten des Glases
Glastyp Borofloat® 33 AF 32® eco 33 D 263® T eco
Ausdehnungskoeffizient (CTE) 3.25 x 10-6/K
(an Si angepasst)
3.2 x 10-6/K
(an Si angepasst)
7.2 x 10-6/K
Dielektrische Konstante @ 1MHz 4.6 5.1 6.7
Brechungsindex (nD) (@ 600 nm)   1.47 1.51 1.52
* befindet sich in der Weiterentwicklung

Lieferung und Produktverpackung

Bitte wenden Sie sich bzgl. Verpackungsanforderungen direkt an unser Vertriebsteam.

Qualität

Weitere Informationen zu unserer Qualitätssicherung finden Sie auf dieser Seite.
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