钝化玻璃

产品说明

钝化玻璃可用于半导体分立器和变阻器表面，为其提供化学和机械保护。

它们与半导体实体直接接触，通过“钝化”p-n 结合，可安全可靠地达到保护功能。同时，这些玻璃通常作为分立器件的封装外壳被使用。

钝化玻璃粉包含特别开发的材料成分。其主要特性是，通过将含碱量（尤其是 Na+）降至最低以获得极高的绝缘电阻。只有在使用最高品质的原料，并选用特殊制造程序时，才能保证这一需求。

为避免加工零件中出现应力和裂缝，钝化玻璃和其它半导体元件的热膨胀系数必须尽可能地接近。特殊半导体还需要微调玻璃的表面负荷。我们提供不同的玻璃成分，以实现最佳匹配。

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产品优势

提供种类齐全不同成份的玻璃，适用于各种不同的半导体和电阻器产品
无铅解决方案
选用最高品质的原材料，结合严格控制的熔制工艺和特殊研磨工序，可提供具有最高纯度、最低含碱量的产品

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应用

烧结玻璃二极管和整流器
晶体闸流管和二极管的晶片钝化
高压变阻器应用

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技术细节

技术
玻璃粉的制造分为以下两个步骤
玻璃原料先按特殊设计的比例熔化后，将玻璃研磨成具有不同粒度分布的细粉末。客户可采用不同的方式加工我们的钝化玻璃。对于烧结玻璃二极的制造，可在熔炉内将其烧结前将玻璃粉末浆体和去离子水应用于二极管。对于晶圆钝化，有机悬浮物可应用于旋转、刮胶、沉淀、电泳或丝网印工艺。

特点/规格
所有钝化玻璃均以玻璃粉形式提供，且具有各种不同的粒度。

供应形式与产品包装
我们的标准包装形式是采用密封的塑料薄膜袋封装，然后再装入纸板桶中。如需其它包装解决方案，请联络我们。

肖特钝化玻璃：

Lead-containing	Typ	Main applications	α_(20/300) 10^-6/K	T_g ^oC	Pb-contents wt%	Firing temp. ^oC	Holding Time Min.	T_j ^oC	Layer thickness µm
G018-205	Pb-Zn-B	sinter glass diodes	4.45	632	1-5	690	10	-	-
G017-388	Zn-B-Si composite	thyristors, high-blocking rectifiers	3.6	550	1-5	700	5	180	≥ 30
G017-002	Zn-B-Si composite	sintered glass diodes	3.7	545	1-5	700	10	180	-
G017-096R	Pb-B-Si	sinter glass, planar- and mesa-diodes	4.8	456	10-50	680	5	160	-
G017-004	Pb-B-Si composite	mesa diodes	4.1	440	10-50	740	5	160	≥30
G017-230	Pb-B-Si composite	transistors	4.2	440	10-50	700	4	160	≥25
G017-725	Pb-B-Si	sinter glass diodes	4.9	468	10-50	670	10	180	-
G017-997	Pb-B-Si composite	wafer passivation	4.4	485	10-50	760	20	180	-
G018-133	Pb-B-Si composite	sinter glass diodes	4.8	463	10-50	690	30	-	-

Lead-free
G018-200	Zn-B-Si	sinter glass diodes	4.6	557	-	665	10	-	-
G018-197	Zn-B-Si	sinter glass diodes	4.4	557	-	675	10	-	-
G018-255	Bi-Zn-B	varistors	9.4	396	-	520	15	-	-