PICVD-Verfahren: Schichtaufbau in kleinen Schritten

PICVD steht abkürzend für Plasma Impulse Chemical Vapour Deposition und bedeutet im Deutschen etwa so viel wie „Gasphasenabscheidung mit gepulstem Plasma“. Bei diesem Verfahren befinden sich die zu beschichtenden Körper in einer Vakuumkammer, in die ein gasförmiges Beschichtungsmaterial eingeleitet wird. Durch Energieeintrag in Form von Mikrowellen wird ein Plasma in der Kammer gezündet. Dadurch erfolgt eine Zerlegung des Gases. Dies bewirkt die gewünschte Abscheidung, beispielsweise von Oxiden wie SiO2 und/oder TiO2, auf der Oberfläche des Körpers. Bis hierhin handelt es sich um das durchaus gängige Prinzip konventioneller CVD-Verfahren. Das Besondere bei PICVD steckt im „I“, denn hier wird das Plasma gepulst, d.h. in Intervallen erzeugt. Der Schichtaufbau erfolgt quasi in vielen kleinen Schritten und wird dadurch extrem dicht und homogen. Der Prozessablauf kann exakt gesteuert werden: Zum einen sind sehr niedrige Prozesstemperaturen möglich – selbst bei Raumtemperatur kann noch beschichtet werden. Zum anderen kann die chemische Zusammensetzung gasförmigen Beschichtungsmaterials zwischen den Pulsen geändert werden. Das bedeutet, dass man innerhalb eines Prozessablaufs mehrere unterschiedliche Schichten zu einem maßgeschneiderten Multilayersystem kombinieren kann.