11.11.2014, SCHOTT AG, Landshut (Deutschland)

SCHOTT HermeS® Glaswafer mit Through Glass Vias für MEMS-Bauteile

Gasdichte Gehäusetechnologie zum zuverlässigen Schutz empfindlicher MEMS-Bauteile in Industrie-, Medizintechnik- und Hochfrequenz-Anwendungen
HermeS® Wafer von SCHOTT mit hermetisch versiegelten „Through Glass Vias“ (TGV): Damit werden vollständig gasdichte und damit langfristig robuste Gehäuse für MEMS-Bauteile möglich. Fein platzierte Pins ermöglichen dabei die zuverlässige Durchleitung von elektrischen Signalen und Strom in das Gehäuse. Bild: SCHOTT
HermeS® Wafer von SCHOTT mit hermetisch versiegelten „Through Glass Vias“ (TGV): Damit werden vollständig gasdichte und damit langfristig robuste Gehäuse für MEMS-Bauteile möglich. Fein platzierte Pins ermöglichen dabei die zuverlässige Durchleitung von elektrischen Signalen und Strom in das Gehäuse. Bild: SCHOTT
Landshut (Deutschland), 11. November 2014 – Der internationale Technologiekonzern SCHOTT bietet HermeS® Glassubstrate mit hermetisch integrierten Metallkontakten, sogenannten „Through Glass Vias“ (TGV), an. Damit werden vollständig gasdichte und langfristig robuste Gehäuse für MEMS-Bauteile realisiert. Die fein platzierten Pins ermöglichen dabei die zuverlässige Durchleitung von elektrischen Signalen und Strom. Der HermeS® Wafer kann direkt unter ein auf Silizium basierendes MEMS Bauteil platziert werden, so dass ein hohes Maß an Miniaturisierung des gesamten Bauteils erreichen wird, z.B. mittels 3D- Wafer Level Chip Size Packaging (3D-WLCSP). Insbesondere für MEMS-Bauteile mit Anwendung in Industrie-, Medizin- und Hochfrequenz bieten die extrem zuverlässigen HermeS® Wafer somit viele Vorteile. SCHOTT fertigt HermeS® TGV-Substrate aus drei Glastypen: gefloatetes Borosilikatglas BOROFLOAT® 33, alkalifreies Flachglas AF 32® eco und Borosilikatglas D 263® T eco. SCHOTT präsentiert die Glaswafer vom 11.-14. November 2014 auf der electronica in München (Halle A3, Stand 339).

MEMS-Bauteile und -Sensoren werden oft in extrem rauen Umgebungen eingesetzt, wie beispielsweise für Drucksensoren in korrosiven industriellen Produktionslinien. Dennoch müssen sie perfekt über lange Zeiträume funktionieren. Die Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit eines MEMS-Bauteils hängt von seiner langfristig stabilen Verkapselung ab. Dank der überlegenen Materialeigenschaften von Glas im Vergleich zu Silizium oder Keramik bringt die HermeS® Lösung auf Basis von TGVs (Through Glass Vias) gegenüber anderen Technologien wie TSVs (Through Silicon Vias) oder hermetischen Keramikverpackungen zahlreiche Vorteile mit sich.

So ist die Verkapselung aufgrund der höheren mechanischen, thermischen und chemischen Beständigkeit von Glas besonders zuverlässig und gewährleistet die langfristige Funktion des MEMS-Bauteils. Dank der niedrigen Dielektrizitätskonstante von Glas und der Möglichkeit, hochleitfähige Materialien zu nutzen, bieten HermeS® Wafer-Technologie auch ausgezeichnete Hochfrequenz(HF)-Eigenschaften. Und nicht zuletzt ermöglicht die Transparenz des Glaswafers eine bessere Verarbeitung und Qualitätskontrolle bei der Herstellung eines MEMS-Bauteils.

„Entsprechend den Hauptmerkmalen unseres Materials liegt unser Fokus auf drei Hauptanwendungen, für die unsere HermeS® TGV-Substrate im Vergleich mit anderen Lösungen erhebliche Vorteile bieten“, kommentiert Yutaka Onezawa, Sales Manager HermeS® bei SCHOTT Electronic Packaging. Bei hermetisch versiegelten industriellen MEMS-Sensoren ermöglichen die Glaswafer die langfristige, zuverlässige und extrem robuste Verkapselung. Medizinische Elektronikbauteile wiederum können Körperflüssigkeiten und Sterilisationszyklen über lange Zeiträume widerstehen und bei HF-MEMS bieten HermeS® Wafer dank absoluter Dichtigkeit in einem extrem miniaturisierten Design hervorragende HF-Eigenschaften.

Der Einsatz von SCHOTT HermeS® TGV-Substraten ermöglicht eine Miniaturisierung der MEMS-Bauteile, eine Verringerung der Chipgröße und eine kompaktere Bauweise. Die Abmessung kann im Vergleich zu herkömmlichen Keramikgehäusen um bis zu 80 Prozent reduziert werden. „Wir können auch modernste Bonding-Prozesse anwenden, zum Beispiel anodisch Bonden mit Silizium, Glasfritten und Löten“, so Onezawa weiter.

SCHOTT fertigt HermeS® TGV-Substrate aus drei Glastypen: gefloatetes Borosilikatglas BOROFLOAT® 33, alkalifreies Flachglas AF 32® eco und Borosilikatglas D 263® T eco. In die Entwicklung und Produktion neuer Produkte von SCHOTT fließen 130 Jahre Erfahrung im Bereich Spezialglas und 70 Jahre im Bereich der elektronischen Gehäusetechnologie ein.

Weitere Informationen unter: http://www.schott.com/epackaging/german/auto/others/hermes.html


HermeS®, BOROFLOAT®, AF 32® eco und D 263®T eco sind eingetragene Marken der SCHOTT AG.


Foto-Downloadlink: http://www.schott-pictures.net/presskit/265555.hermes


Weitere Pressefotos zum Herunterladen: www.schott-pictures.net



SCHOTT ist ein internationaler Technologiekonzern mit 130 Jahren Erfahrung auf den Gebieten Spezialglas, Spezialwerkstoffe und Spitzentechnologien. Mit vielen seiner Produkte ist SCHOTT weltweit führend. Hauptmärkte sind die Branchen Hausgeräteindustrie, Pharmazie, Elektronik, Optik und Transportation. Das Unternehmen hat den Anspruch, mit hochwertigen Produkten und intelligenten Lösungen zum Erfolg seiner Kunden beizutragen und SCHOTT zu einem wichtigen Bestandteil im Leben jedes Menschen zu machen. SCHOTT bekennt sich zum nachhaltigen Wirtschaften und setzt sich für Mitarbeiter, Gesellschaft und Umwelt ein. In 35 Ländern ist der SCHOTT Konzern mit Produktions- und Vertriebsstätten kundennah vertreten. 15.400 Mitarbeiter erwirtschafteten im Geschäftsjahr 2012/2013 einen Weltumsatz von 1,84 Milliarden Euro. Die SCHOTT AG mit Hauptsitz in Mainz ist ein Unternehmen der Carl-Zeiss-Stiftung. www.schott.com
HermeS® Wafer von SCHOTT mit hermetisch versiegelten „Through Glass Vias“ (TGV): Die direkte Verbindung der Pins mit den Kontakten des MEMS auf dem Siliziumwafer ermöglicht miniaturisiertes, vollständig hermetisches 3D-WLCSP (Wafer Level Chip Size Packaging). Bild:SCHOTT.
HermeS® Wafer von SCHOTT mit hermetisch versiegelten „Through Glass Vias“ (TGV): Die direkte Verbindung der Pins mit den Kontakten des MEMS auf dem Siliziumwafer ermöglicht miniaturisiertes, vollständig hermetisches 3D-WLCSP (Wafer Level Chip Size Packaging). Bild:SCHOTT.
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